Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Shul'pina I. L. X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals / I. L. Shul'pina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, I. Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 62-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_12 Using Si(As, P, B) and GaSb(Si) study, possibilities of X-ray diffraction methods for diagnostics of highly doped semiconductor crystals in characterization of dopant state - whether it is in the crystals in the form of solid solution or under various stages of its decomposition - are shown. The combination of techniques of X-ray diffraction topography and high resolution X-ray diffractometry, higher sensitive to the crystal lattice strain than that traditionally used is taken as the basis for investigating the crystals with slight and strong absorption of X-rays. These methods were supplemented with digital processing of the topographic images of growth striations and electrical measurements. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Shul'pina I. L. X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals / I. L. Shul'pina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, I. Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 62-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_12. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |