Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium

Boiko, I. I.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Boiko I. I.
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 437-440. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_13

Conductivity of p-Si and p-Ge is considered for the two-band model with due regard for mutual drag of light and heavy holes. It is shown that for small and moderate temperatures this drag significantly diminishes the drift velocity of light holes and, as a result, the whole conductivity of crystal. The drag effect considered here appears also in the form of non-monotonous dependences of conductivity on temperature and carrier concentration.Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.

Повний текст PDF - 130.293 Kb Зміст випуску Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
Boiko I.

Бібліографічний опис для цитування:
Boiko I. I. Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 437-440. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_13.
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Бойко Ігор Іванович (1935–) (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача