A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)

Sghaier, H.; Bouzaiene, L.; Sfaxi, L.; Maaref, H.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Sghaier H.
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs) / H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 72-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_18

Повний текст PDF - 1.444 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Sghaier H. A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs) / H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 72-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_18.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача