Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K

Ermakov, V. M.; Kolomoets, V. V.; Panasyuk, L. I.; Nazarchuk, P. F.; Yashchynskyi, L. V.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Ermakov V. M.
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K / V. M. Ermakov, V. V. Kolomoets, L. I. Panasyuk, P. F. Nazarchuk, L. V. Yashchynskyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 77-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_19

Повний текст PDF - 254.062 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Ermakov V. M. Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K / V. M. Ermakov, V. V. Kolomoets, L. I. Panasyuk, P. F. Nazarchuk, L. V. Yashchynskyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 77-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_19.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Єрмаков Володимир Миколайович (1952–) (фізико-математичні науки)

Єрмаков Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача