Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Gaidar G. P. 
Influence of -irradiation (60Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 26-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_8
  Повний текст PDF - 294.194 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Gaidar G.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Gaidar G. P. Influence of -irradiation (60Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 26-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_8.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського