Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Vlasov S. I. 
Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures / S. I. Vlasov, A. V. Ovsyannikov, B. K. Ismailov, B. H. Kuchkarov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 166-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_12
We studied the effect of uniform compression on characteristics of Au - n-Si Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. It is shown that overcompensation is caused by formation of structural defects owing to thermal treatment of the initial silicon wafers.We investigated the effect of hydrostatic pressure on relaxation characteristics of the three-layer <$E roman {Al~-~n-Si symbol ... Ni symbol ъ~SiO sub 2~-~Al}> structures. It was found that 20 min exposure to a pressure of 8 kbars results in reduction of the integral density of surface states, while exerting no influence on the generation centers in the bulk.
  Повний текст PDF - 983.166 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Vlasov S.
  • Ovsyannikov A.
  • Ismailov B.
  • Kuchkarov B.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Vlasov S. I. Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures / S. I. Vlasov, A. V. Ovsyannikov, B. K. Ismailov, B. H. Kuchkarov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 166-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_12.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського