Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity

Baranskii, P. I.; Gaidar, G. P.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Baranskii P. I.
Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 218-222. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_8

Повний текст PDF - 1.434 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Baranskii P.

Gaidar G.

Бібліографічний опис для цитування:

Baranskii P. I. Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 218-222. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_8.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача