Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Olenych I. B. 
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates / I. B. Olenych // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 382-385. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_17
Current-voltage characteristics, spectral dependences of photovoltage and short-circuit current of the structures based on porous silicon at adsorption of iodine molecules are presented. It is revealed widening the spectral range of photosensitivity in the samples in short-wavelength range as compared with that of single crystal silicon. Kinetics of the photovoltage response inherent to the porous silicon-silicon structures has been investigated. The results are explained in the frame of qualitative model that involves formation of p - n-transitions in these structures as a result of inversion of the conductivity type in porous silicon nanocrystals under the influence of adsorption of molecular iodine.
  Повний текст PDF - 1.417 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Olenych I.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Olenych I. B. Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates / I. B. Olenych // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 382-385. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_17.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського