Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Kavetskyy T. S. Radiation/annealing-induced structural changes in GexAs40 xS60 glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements / T. S. Kavetskyy, V. M. Tsmots, A. L. Stepanov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 310-320. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_4 Local atomic structure of Ge Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Kavetskyy T. S. Radiation/annealing-induced structural changes in GexAs40 xS60 glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements / T. S. Kavetskyy, V. M. Tsmots, A. L. Stepanov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 310-320. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_4. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |