Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Nazarov A. N. 
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor / A. N. Nazarov, A. V. Vasin, S. O. Gordienko, P. M. Lytvyn, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, A. S. Hirov, A. V. Rusavsky, V. P. Popov, V. S. Lysenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 332-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_4
This paper considers a synthesis of graphene flakes on the Ni surface by vacuum long and nitrogen rapid thermal treatment of the "sandwich" amorphous (a) SiC/Ni multilayer deposited on silicon wafer by magnetron sputtering technique. The lateral size of graphene flakes was estimated to be about hundreds of micrometers while the thickness estimated using Raman scattering varied from one to few layers in case of vacuum annealing. Rapid thermal annealing in nitrogen ambient results in formation of multilayer graphene with surface covering up to 80 %. The graphene layers synthesized on Ni during CVD process was used as reference samples. Atomic force microscopy is not able to detect graphene flakes in regime of surface topology examination because of large roughness of Ni surface. Employment of scanning Kelvin probe force microscopy (SKPFM) demonstrates correlation of the surface potential and graphene flakes visible in optical microscopy. Using the KPFM method, potential differences between Ni and graphene were determined.
  Повний текст PDF - 2.071 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Nazarov A.
  • Vasin A.
  • Gordienko S.
  • Lytvyn P.
  • Strelchuk V.
  • Nikolenko A.
  • Hirov A.
  • Rusavsky A.
  • Popov V.
  • Lysenko V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Nazarov A. N. Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor / A. N. Nazarov, A. V. Vasin, S. O. Gordienko, P. M. Lytvyn, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, A. S. Hirov, A. V. Rusavsky, V. P. Popov, V. S. Lysenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 332-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_4.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Васін Андрій Володимирович (фізико-математичні науки)
  • Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
  • Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
  • Ніколенко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)
  • Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського