Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Neimash V. B. Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, P. Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 331-335. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_5 The influence of tin impurity on amorphous silicon crystallization was investigated using the methods of Raman scattering, Auger spectroscopy at ion etching, scanning electron microscopy and X-ray fluorescence microanalysis in thin films of Si:Sn alloy manufactured by thermal evaporation. Formation of Si crystals of the 2 to 4-nm size has been found in the amorphous matrix alloy formed at the temperature <$E 300~symbol Р roman C>. Total volume of nanocrystals correlates with the content of tin and can comprise as much as 80 % of the film. The effect of tin-induced crystallization of amorphous silicon occurred only if there are clusters of metallic tin in the amorphous matrix. The mechanism of tin-induced crystallization of silicon that has been proposed takes into account the processes in eutectic layer at the interface metal tin - amorphous silicon. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Neimash V. B. Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, P. Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 331-335. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_5.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |