Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings

Gaidar, G. P.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Gaidar G. P.
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge single crystals under the influence of thermoannealings / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 53-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_11

Features of changes in the electrophysical parameters (concentrations of charge carriers ne and their mobilities <$Emu>) in heavily doped n-Ge <$Esymbol ...~As~symbol ъ> single crystals, which occur as a result of the series of thermoannealings (each for 0,5 h) over a wide temperature range (<$E540~symbol Г~T~symbol Г~900~symbol Р roman C>), have been investigated and explained.

Повний текст PDF - 297.396 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Gaidar G.

Бібліографічний опис для цитування:

Gaidar G. P. Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge single crystals under the influence of thermoannealings / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 53-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_11.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача