Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Iliash S. A. 
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures / S. A. Iliash, S. V. Kondratenko, A. S. Yakovliev, V. P. Kunets, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 75-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_16
Thermally stimulated conductivity of the InGaAs - GaAs heterostructures with quantum wires was studied using different quantum energies of exciting illumination. The structures reveal long-term photoconductivity decay within the temperature range 100 to 200 K, and effect of residual conductivity after turning-off the illumination. Analyzing the data of thermally stimulated conductivity, the following energies of electron traps were found: 90, 140, and 317 meV. The role of deep traps in recombination process as well as the photoconductivity mechanism was discussed.
  Повний текст PDF - 244.419 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Iliash S.
  • Kondratenko S.
  • Yakovliev A.
  • Kunets V.
  • Mazur Y.
  • Salamo G.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Iliash S. A. Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures / S. A. Iliash, S. V. Kondratenko, A. S. Yakovliev, V. P. Kunets, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 75-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_16.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського