Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Bletskan D. I. 
Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment / D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 98-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_20
  Повний текст PDF - 1.108 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bletskan D.
  • Glukhov K.
  • Frolova V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Bletskan D. I. Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment / D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 98-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_20.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського