Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Bletskan D. I. Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment / D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 98-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_20 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Bletskan D. I. Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment / D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 98-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_20. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |