Baranskii P. I.
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 39-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_9
Tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants but under practically equal charge carrier concentrations have been investigated. The features of <$Erho sub X "/" rho sub 0 ~=~f(X)> function, which depend on individual physical-chemical properties of dopants, have been discussed in this paper.
Цитованість авторів публікації:Baranskii P.Gaidar G.
Бібліографічний опис для цитування:
Baranskii P. I. Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 39-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_9.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити
"Анкету науковця"
|