Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Gaidar G. P. 
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals / G. P. Gaidar, P. I. Baranskii // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 123-128. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_20
Features of the concentration dependences of the anisotropy parameter of thermo-emf of electron-phonon drag M in germanium and silicon crystals of n-type conductivity were found in a wide range of charge carrier concentrations. Insensitivity of the anisotropy parameter M to the presence of impurities in the germanium crystals up to the concentrations of ~ <$E10 sup 15 ~roman cm sup -3> was found, whereas in silicon with increasing the doping level the monotonic decrease in this parameter was observed. The significantly lower absolute values of the parameter M were obtained for the silicon crystals as compared with the corresponding values of this parameter for the germanium ones. The physical nature of the identified effects was explained.
  Повний текст PDF - 247.62 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Gaidar G.
  • Baranskii P.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Gaidar G. P. Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals / G. P. Gaidar, P. I. Baranskii // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 123-128. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_20.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського