У межах моделі діелектричного континууму виконано розрахунок енергетичного спектра обмежених та інтерфейсних оптичних фононів у плоскій багатошаровій резонансно-тунельній наноструктурі на основі гетеропереходів GaAs/AlAs. Показано, що енергії обмежених оптичних фононів у даній напівпровідниковій наногетеросистемі співпадають з енергіями поздовжніх поляризаційних коливань в окремих масивних кристалах, з яких утворена відповідна наносистема. Досліджено залежності енергій інтерфейсних оптичних фононів від їх квазіімпульсу та геометричних розмірів наношарів GaAs та AlAs.

  Повний текст PDF - 290.117 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"