Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of deep p–n-junction

Kozinetz, A. V.; Litvinenko, S. V.; Skryshevsky, V. A.


	Наукова періодика України		Ukrainian journal of physics

Kozinetz A. V.
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction / A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 4. - С. 318-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_4_8

Повний текст PDF - 775.785 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Kozinetz A.

Litvinenko S.

Skryshevsky V.

Бібліографічний опис для цитування:

Kozinetz A. V. Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction / A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 4. - С. 318-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_4_8.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача