Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode

Mel’nyk, P. V.; Nakhodkin, M. G.; Fedorchenko, M. I.


	Наукова періодика України		Ukrainian journal of physics

Mel’nyk P. V.
Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode / P. V. Mel’nyk, M. G. Nakhodkin, M. I. Fedorchenko // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 8. - С. 692-698. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_8_9

Повний текст PDF - 1.376 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Mel’nyk P.

Nakhodkin M.

Fedorchenko M.

Бібліографічний опис для цитування:

Mel’nyk P. V. Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode / P. V. Mel’nyk, M. G. Nakhodkin, M. I. Fedorchenko // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 8. - С. 692-698. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_8_9.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача