С помощью методов рентгеновской дифрактометрии (<$Elambda> ~ 0,154 нм) исследована фазовая структура, состав и строение многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) W/Si с толщиной слоев вольфрама <$Et sub W ~<<~10> нм, полученных с помощью метода прямоточного магнетронного распыления. Исследованы две серии образцов, изготовленных с различными скоростями осаждения вольфрама, которые отличаются примерно в 4 раза: ~0,60 и ~0,15 нм/с. Показано, что при толщине <$Et sub W ~>>~2,7> нм слои вольфрама имеют поликристаллическую (ОЦК) структуру, а при <$Et sub W ~<<~1,9> нм они аморфны. При помощи <$Esin sup 2 PSI>-метода установлено, что в тонких кристаллических слоях вольфрама (<$Et sub W ~<<~10> нм) может содержаться более 3 ат.% Si. Растягивающие напряжения в слоях кристаллического вольфрама не превышают 1,1 ГПа. Построение функций радиального распределения атомов позволило установить, что аморфные слон вольфрама имеют расположение атомов, близкое к <$Ebeta>W всех образцах за счет взаимодействия на межфазных границах наблюдается формирование силицидных прослоек, в результате чего реальная толщина слоев вольфрама меньше номинальной. Аморфные силицидные прослойки, обязательно формирующиеся на стадии изготовления МРЗ, содержат дисилицид вольфрама. В зависимости от скорости осаждения дисилицид может иметь расположение атомов, близкое либо к тетрагональной фазе, t-WSi2 (~0,6 нм/с), либо к гексагональной фазе, h-WSi2 (~0,15 нм/с). Представлена уточненная модель строения аморфных МРЗ W/Si. Предложены механизмы формирования силицидных прослоек, согласно которым нижние силицидные прослойки (W-нa-Si) формируются преимущественно за счет баллистического перемешивания атомов вольфрама и кремния, а верхние - вследствие диффузионного перемешивания. Сделана оценка коэффициентов взаимной диффузии, которые позволили установить, что эффективная температура поверхности осаждаемых слоев может быть, по меньшей мере, на <$E250~symbol Р roman C> выше температуры подложки. Предложены пути снижения межфазного взаимодействия.

  Повний текст PDF - 1.717 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"