Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержані розподіли густини валентних електронів, повні енергії для плівок GaN та твердих розчинів AlGaN у присутності парової фази Al. Обчислені величини енергетичних бар'єрів, які потрібно подолати атому Al, щоб наблизитися до поверхні (0001)Ga на відстань 0,307 <$E roman A back 35 up 35 symbol Р>. Найбільші енергетичні витрати приходяться на рух у напрямку атома Ga, найменші - до позиції середини умовної лінії зв'язку між атомами Ga. Одержані зміни висоти енергетичного бар'єру, який потрібно подолати атому Al, щоб замістити атом Ga, для деформованої плівки GaN у порівнянні з недеформованою. Визначено, що рівномірне стискання до 10 % майже не змінює висоту бар'єру (він збільшується всього на 1,7 %), тоді як рівномірне розтягування плівки на 10 % збільшує його на 14 %.

  Повний текст PDF - 838.991 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"