Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation

Kopyshinsky, A. V.; Zelensky, S. E.; Gomon, E. A.; Rozouvan, S. G.; Kolesnik, A. S.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Kopyshinsky A. V.
Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation / A. V. Kopyshinsky, S. E. Zelensky, E. A. Gomon, S. G. Rozouvan, A. S. Kolesnik // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 376-381. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_16

Laser-induced incandescence (LII) of silicon surface is investigated under the excitation by a Q-switched YAG:Nd laser. With the increase of laser irradiation dose, the increase of LII signal is observed, which is attended by visible changes of the surface geometry. The anomalous behavior of the parameter of non-linearity of LII is observed with the increase of laser excitation power.

Повний текст PDF - 2.057 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Kopyshinsky A. V. Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation / A. V. Kopyshinsky, S. E. Zelensky, E. A. Gomon, S. G. Rozouvan, A. S. Kolesnik // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 376-381. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_16.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача