Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP

Belyaev, A. E.; Boltovets, N. A.; Bobyl, A. B.; Kladko, V. P.; Konakova, R. V.; Kudryk, Ya. Ya.; Nasyrov, M. U.; Sachenko, A. V.; Slipokurov, V. S.; Slepova, A. S.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Belyaev A. E.
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP / A. E. Belyaev, N. A. Boltovets, A. B. Bobyl, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, M. U. Nasyrov, A. V. Sachenko, V. S. Slipokurov, A. S. Slepova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 391-395. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_5

Presented in this paper are experimental data on structural properties of contact metallization and temperature dependence of the specific contact resistance for ohmic contacts Au - Ti - Pd -n<^>+- InP and Au - Ti - Ge - Pd -n<^>+- InP prepared using the method of successive thermal evaporation of metals in oil-free vacuum in one process cycle onto the n<^>+-n-n<^>++-n<^>+++-InP epitaxial structure heated to <$E300~symbol Р roman C>. It has been theoretically and experimentally shown that within the temperature range 250 - 380 K the current transport mechanism in the ohmic contacts Au - Ti - Pd -n<^>+- InP is thermal-field one, and in the ohmic contacts Au - Ti - Ge - Pd -n<^>+-InP it is caused by conductivity along metal shunts linked with dislocations. According to the X-ray diffraction data, the density of these dislocations in the near-contact InP area is ~10<^>9 cm<^>-2.

Повний текст PDF - 351.242 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Belyaev A. E. Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP / A. E. Belyaev, N. A. Boltovets, A. B. Bobyl, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, M. U. Nasyrov, A. V. Sachenko, V. S. Slipokurov, A. S. Slepova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 391-395. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_5.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)

Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача