Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Sachenko A. V. The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime / A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, I. O. Sokolovskyi, M. Evstigneev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 4. - С. 334-342. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_4_5 By comparison of the experimental dependence of bulk lifetime in silicon on the doping and excitation levels with theoretical calculations, it has been shown that a new recombination channel becomes operative when Shockley - Read - Hall lifetime is below 20 ms and the density of doping impurities or the excess electron-hole pair density is of the order of 1016 cm-3. This recombination mechanism is related to the non-radiative exciton Auger recombination assisted by the deep impurities in the bulk. The influence of non-radiative exciton recombination on the photoconversion efficiency in solar cells has been analyzed. It has been shown that the shorter the Shockley - Read - Hall lifetime, TSHR, the stronger its effect. In particular, for TSHR = 100 mu s, this recombination channel leads to the reduction of the photoconversion efficiency by 5,5 %. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Sachenko A. V. The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime / A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, I. O. Sokolovskyi, M. Evstigneev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 4. - С. 334-342. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_4_5.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |