The influence of substrate temperature on properties of Cu-Al-O films deposited using the reactive ion beam sputtering method

Ievtushenko, A. I.; Dusheyko, M. G.; Karpyna, V. A.; Bykov, O. I.; Lytvyn, P. M.; Olifan, O. I.; Levchenko, V. A.; Korchovyi, A. A.; Starik, S. P.; Tkach, S. V.; Kuzmenko, E. F.; Lashkarev, G. V.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Ievtushenko A. I.
The influence of substrate temperature on properties of Cu-Al-O films deposited using the reactive ion beam sputtering method / A. I. Ievtushenko, M. G. Dusheyko, V. A. Karpyna, O. I. Bykov, P. M. Lytvyn, O. I. Olifan, V. A. Levchenko, A. A. Korchovyi, S. P. Starik, S. V. Tkach, E. F. Kuzmenko, G. V. Lashkarev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 314-318. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_7

For the first time, Cu - Al - O films were grown using the reactive ion beam sputtering at temperatures ranging from 80 to <$E380~symbol Р roman C> in <$E50~symbol Р roman C> increments. Correlations between the properties of as-grown films measured by X-ray diffraction, energy dispersive X-ray spectroscopy, atomic force microscopy, Fourier transform infrared spectrometry and optical transmission measurements have been discussed. It was shown that the increase of substrate temperature caused formation of the CuAlO2 phase. Additional optimization of technological parameters of growth and post-growth temperature annealing are necessary to obtain single-phase CuAlO2 films.

Повний текст PDF - 386.365 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Ievtushenko A. I. The influence of substrate temperature on properties of Cu-Al-O films deposited using the reactive ion beam sputtering method / A. I. Ievtushenko, M. G. Dusheyko, V. A. Karpyna, O. I. Bykov, P. M. Lytvyn, O. I. Olifan, V. A. Levchenko, A. A. Korchovyi, S. P. Starik, S. V. Tkach, E. F. Kuzmenko, G. V. Lashkarev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 314-318. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_7.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Євтушенко Арсеній Іванович (фізико-математичні науки)

Карпина Віталій Анатолійович (фізико-математичні науки)

Биков Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)

Оліфан Олена Ігорівна (фізико-математичні науки)

Корчовий Андрій Адамович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача