За допомогою методів оптичної спектроскопії встановлено наявність аномально сильного концентраційного гасіння <$E roman {nothing sup 1 D sub 2~symbol О~nothing sup 3 H sub 4}> люмінесценції у нанокристалах <$E roman {Y sub 2 SiO sub 5 : Pr sup 3+}> і <$E roman {YPO sub 4 : Pr sup 3+}> у порівнянні з об'ємними аналогами. Показано, що вплив термічної обробки на нанокристали <$E roman {Y sub 2 SiO sub 5 : Pr sup 3+}> і <$E roman {YPO sub 4 : Pr sup 3+}> призводить до різкого зниження інтенсивності <$E roman {nothing sup 1 D sub 2~symbol О~nothing sup 3 H sub 4}> смуги люмінесценції (за концентрації активатора більше, ніж ~ 1 ат. %). Одержані результати інтерпретовано у термінах термічно залежної приповерхневої сегрегації активатора зі значенням порогової концентрації, необхідної для реалізації данного ефекту ~1 ат. %.

  Повний текст PDF - 166.426 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"