За допомогою методу оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок ZnGa₂O₄, одержаних за допомогою методу високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони E_g зростає від 4,81 до 4,98 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках ZnGa₂O₄ після відпалу плівок м після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відновлення у водні, становить 8,16 x 10¹⁸ см^-3, що є характерним для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках ZnGa₂O₄ після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна - Мосса.За допомогою методу оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок <$E beta~-~roman {Ga sub 2 O sub 3}>, одержаних методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони Eg зростає від 4,60 еВ для плівок, відпалених в кисні до 4,65 еВ для плівок, відпалених у аргоні та до 5,20 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках <$E beta~-~roman {Ga sub 2 O sub 3}> після відпалу плівок і після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відпалу в аргоні становить <$E 7,30~times~10 sup 17> см<^>-3, і після відновлення у водні <$E -2,62~times~10 sup 19> см<^>-3, що є характерним для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках <$E beta~-~roman {Ga sub 2 O sub 3}> після відпалу в аргоні та після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна - Мосса.За допомогою методу оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок (Y0,06Ga0,94)2O3, одержаних із використанням методу високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що дані плівки формуються у моноклінній структурі <$E beta - roman {Ga sub 2 O sub 3}>. Оптична ширина забороненої зони даних плівок є більшою, ніж у плівках <$E beta - roman {Ga sub 2 O sub 3}>, і становить 4,66 еВ для плівок, відпалених у кисні, 4,77 еВ для плівок, відпалених у аргоні, і 4,87 еВ для плівок, відновлених у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках (Y0,06Ga0,94)2O3 після відпалу плівок і після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відпалу у кисні становить 1,32 x 10<^>18 см<^>-3, після відпалу в аргоні - 3,41 x 10<^>18 см<^>-3, і після відновлення у водні - 5,20 x 10<^>18 см<^>-3, що є характерним для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках (Y0,06Ga0,94)2O3 зумовлений ефектом Бурштейна - Мосса.

  Повний текст PDF - 148.506 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"