Наукова періодика України Фізика низьких температур

Godlewski M. 
Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications / M. Godlewski, E. Guziewicz, K. Kopalko, G. Łuka, M. I. Łukasiewicz, T. Krajewski, B. S. Witkowski, S. Gierałtowska // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 3. - С. 301-307. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_3_11
We demonstrate that the atomic layer deposition (ALD) technique has large potential to be widely used in a production of ZnO films for applications in electronic, photovoltaic (PV) and optoelectronic devices. Low growth temperature makes the ALD-grown ZnO films suitable for construction of various semiconductor/organic material hybrid structures. This opens possibilities of construction of novel devices based on very cheap organic materials. This includes organic light emitting diodes and PV cells of the third generation, as discussed in the present work.
  Повний текст PDF - 510.214 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Godlewski M.
  • Guziewicz E.
  • Kopalko K.
  • Łuka G.
  • Łukasiewicz M.
  • Krajewski T.
  • Witkowski B.
  • Gierałtowska S.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Godlewski M. Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications / M. Godlewski, E. Guziewicz, K. Kopalko, G. Łuka, M. I. Łukasiewicz, T. Krajewski, B. S. Witkowski, S. Gierałtowska // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 3. - С. 301-307. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_3_11.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського