Ретроградна багатозарядна дуальна імплантація епі-шарів GaAs на моно-Si підкладках

Новосядлий, С. П.; Бастрикін, С. В.; Павлюк, Я. І.; Семенишин, А. Д.


	Наукова періодика України		Прикарпатський вісник Наукового товариства ім. Шевченка

Новосядлий С. П.
Ретроградна багатозарядна дуальна імплантація епі-шарів GaAs на моно-Si підкладках / С. П. Новосядлий, С. В. Бастрикін, Я. І. Павлюк, А. Д. Семенишин // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2019. - № 1. - С. 45-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2019_1_7

Наведено результати експериментальних досліджень з використанням багатозарядної дуальної імплантації іонів різної маси (кремній, сірка, селен) для формування ретроградних концентраційних профілів n<^>+n транзисторів ПТШ, які збільшують швидкість ВІС в 2,5 - 3 рази.

Повний текст PDF - 759.799 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Новосядлий С. П. Ретроградна багатозарядна дуальна імплантація епі-шарів GaAs на моно-Si підкладках / С. П. Новосядлий, С. В. Бастрикін, Я. І. Павлюк, А. Д. Семенишин // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2019. - № 1. - С. 45-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2019_1_7.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача