Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл - полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов.Наведено результати досліджень двобар'ерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямними переходами «метал - напівпровідник» за фотодіодного та фотовольтаїчного режимів включення. Такі структури можуть використовуватись для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів.The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal - semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.

  Повний текст PDF - 179.065 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"