Побудовано теорію провідності графену, вирощеного за допомогою методу осаджування з парової фази, на плівці сегнетоелектрика полівініледен флюорид трифлуороетилен (PVDF-TrFE) з урахуванням розсіяння носіїв на великомасштабних неоднорідностях потенціалу, зумовлених як наявністю доменної структури сегнетоелектрика, так і неоднорідностями розподілу хімічних допантів на поверхні графену. Показано, що зі збільшенням кореляційної довжини, яка описує неоднорідності, питомий опір зменшується, і для випадку достатньо однорідного розподілу хімічних домішок і достатньо великих розмірів доменів може становити 100 Ом і менше. Такі значення роблять систему "графен на PVDF-TrFE" конкурентною щодо стандартних провідних прозорих ІТО (індій - оксид олова) покриттів для фотовольтаїки. Проведено порівняння результатів теоретичного опису з експериментальними даними.

  Повний текст PDF - 664.214 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"