Наведено результати математичної обробки люмінесцентних спектрів нанокристалів ZnSe. Зразки підготовлено шляхом імплантації іонів Zn<^>+ із енергією 150 кеВ і іонів Se<^>+ із енергією 170 кеВ у шарі діоксиду кремнію, отриманого окисненням кремнієвої підкладки. Проаналізовано 2 типи зразків, отриманих за різною послідовністю імплантації: спочатку імплантували Zn<^>+, а потім Se<^>+ (зразок А); зворотна послідовність - з імплантованими на початку іонами Se<^>+ (зразок B). Спектри, отримані для різних послідовностей імплантації А і В, відрізнялися один від одного. Встановлено, що крім нтенсивних смуг із максимумами 2,3 еВ (540 нм) і 2,85 еВ (430 нм), які були пов'язані з власними люмінесцентними центрами ZnSe, існували дві смуги з максимумами 1,9 еВ (650 нм) і 2,6 еВ (480 нм), які були пов'язані з власними дефектами SiO2. Продемонстровано вплив середовища (матриці діоксиду кремнію), де утворювались нанокристали ZnSe, на його люмінесцентні спектри. Математична обробка форми смуги з максимумом 2,85 еВ показала, що такі параметри, як повна ширина у разі половини висоти максимуму, асиметрія та ексцес вказують на залежність розкиду розмірів нанокристалів ZnSe від порядку імплантації іонів. Результати добре узгоджуються з даними трансмісійної електронної мікроскопії.

  Повний текст PDF - 923.144 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"