Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Muratov M. 
Experimental Investigation of the Distribution of Energy Deposited by FIB in Ion-beam Lithography / M. Muratov, M. Myrzabekova, N. Guseinov, R. Nemkayeva, D. Ismailov, Ya. Shabelnikova, S. Zaitsev // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 4. - С. 04038-1-04038-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_4_40
Проведено перше і ретельне порівняння чутливості найбільш часто використовуваного покриття PMMA 950K до впливу як електронів, так і іонів галію в широкому діапазоні доз опромінення за однакової енергії пучка. Було встановлено, що покриття PMMA 950K має позитивну чутливість 0,15 мкКл/см<^>2, і приблизно на три порядки більш чутливе до іонів галію, ніж до електронів в тих самих умовах. За високих доз опромінення іонами галію, а також у разі опромінення електронами спостерігається негативна чутливість. Також вивчали глибину травлення покриття PMMA 950K після його травлення в розчиннику залежно від дози опромінення. Виходячи з цього, було запропоновано аналітичну модель з використанням густини поглинутої енергії у формі зміщеного гаусіана, яка надала змогу відновити контрастність покриття PMMA 950K та енергетичну довжину за експериментальними даними. Запропонована модель точно описує як експериментальні результати, так і результати моделювання. Було показано, що контрастність для покриття PMMA 950K становить <$Egamma> ~ 3,1 для енергій іонів галію, а енергетична довжина є рівною <$EL sub e ~=~43> нм.
  Повний текст PDF - 214.476 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Muratov M.
  • Myrzabekova M.
  • Guseinov N.
  • Nemkayeva R.
  • Ismailov D.
  • Shabelnikova Y.
  • Zaitsev S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Muratov M. Experimental Investigation of the Distribution of Energy Deposited by FIB in Ion-beam Lithography / M. Muratov, M. Myrzabekova, N. Guseinov, R. Nemkayeva, D. Ismailov, Ya. Shabelnikova, S. Zaitsev // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 4. - С. 04038-1-04038-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_4_40.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Зайцев Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського