Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Vasiljev A. G. Hydrogen Treatment of SPR Film Sensors: Experiments and Theoretical Modeling / A. G. Vasiljev, T. A. Vasyliev, R. O. Zhelezniak, T. P. Doroshenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06008-1-06008-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_10 Наведено експериментальні та теоретичні дослідження змін оптичних властивостей датчиків SPR під впливом водню. Теоретичне моделювання обробленого водневого датчика SPR проведено з використанням методу трансфер-матриць та наближень ефективного середовища. Під час моделювання розглядалися різні можливості впливу водню. Встановлено, що накопичення водню на межі розділу скло-хром не може змінити спектр SPR. Експериментально спостережувані зміщення у спектрі SPR в основному були пов'язані з накопиченням водню у всіх товщах шару золота шляхом утворення порожнин, заповнених воднем. Накопичення водню в об'ємі золотої плівки також призвело до збільшення резонансного значення SPR. Навпаки, теоретичне моделювання збільшення шорсткості поверхні золота передбачило зменшення амплітуди резонансу. В результаті було запропоновано комплексний теоретичний опис процесів, які відбувалися в датчиках SPR під час обробки воднем. Передбачення були такими. Коливання поверхневого рівня перед обробкою воднем становили 2 нм, а через можливість руйнування поверхні коливання поверхневого рівня були збільшені до 3 нм. Шар "твердого" золота до обробки воднем становив 48,5 нм, а після дії водню він збільшився до 53,35 нм. Середня об'ємна концентрація порожнин у цьому шарі становила приблизно 10 %. Порожнини з воднем однорідно розподілялися по об'єму. Товщина шару хрому до обробки воднем становила 5 нм, а після обробки воднем товщину цього шару було збільшено до 6 нм. Обсяг порожнин з воднем у хромі становив 20 %. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vasiljev A. G. Hydrogen Treatment of SPR Film Sensors: Experiments and Theoretical Modeling / A. G. Vasiljev, T. A. Vasyliev, R. O. Zhelezniak, T. P. Doroshenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06008-1-06008-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_10.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |