Представлено систему рівнянь, яка описує розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів. Система містить рівняння, які є загальним розв'язком рівняння дифузії, записаного для монокристалічної підкладки та кожного з пористих шарів. Також вона містить рівняння, які описують граничні умови на двох поверхнях зразка двостороннього макропористого кремнію та на межах монокристалічної підкладки з макропористими шарами. Враховується, що світло розповсюджується по порах та освітлює монокристалічну підкладку через дно пор. Розраховано розподіл надлишкових носіїв заряду у двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів за умови, коли надлишкові носії заряду генеруються світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм та 1,05 мкм. За цих довжин хвиль генерація надлишкових носіїв заряду була однорідною та неоднорідною по зразку, відповідно. Розрахунки проводились для випадків, коли один шар макропор мав товщину 100 мкм, а інший змінювався від нуля до 400 мкм. Показано, що в розподілі надлишкових носіїв заряду у двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів спостерігаються один або два максимуми. Максимум може розташовуватися біля поверхонь, які освітлюються, або посередині монокристалічної підкладки. Максимуми зменшуються завдяки дифузії носіїв заряду до рекомбінаційних поверхонь. На розподіл надлишкових носіїв заряду у двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів впливає рекомбінація надлишкових носіїв заряду на поверхні пор кожного макропористого шару та дифузія надлишкових носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь у пористих шарах.

  Повний текст PDF - 396.24 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"