Важливо знати вплив навколишнього середовища на властивості сонячних елементів, оскільки вони зазвичай використовуються у відкритих середовищах. Якщо морфологія поверхні сонячного елемента змінюється, кут падіння світла буде змінюватися залежно від його фотоелектричних властивостей. Отже, у роботі досліджувалися фотоелектричні властивості кремнієвих сонячних елементів, покритих вертикальними пірамідами з різними кутами основи, залежно від кута падіння світла. З одержаних результатів було виявлено, що за зміни кута падіння світла від <$E0 symbol Р> до <$E80 symbol Р> густини струму короткого замикання площинних, пірамідальних і текстурованих кремнієвих сонячних елементів з кутами основи пірамід <$E50,4 symbol Р> і <$E70,4 symbol Р> зменшуються до 82,6; 88,8; 89,8 %, напруги холостого ходу зменшуються до 10,5; 12,8; 14,1 %, а коефіцієнти заповнення зменшуються до 1,9; 2,2 та 3 %. ККД кремнієвого сонячного елемента, покритого пірамідами з кутом основи <$E70,4 symbol Р>, краще, ніж ккд планарних та інших текстурованих кремнієвих сонячних елементів в діапазоні кутів падіння світла від <$E0 symbol Р> до <$E80 symbol Р>, хоча залежність його фотоелектричних параметрів від кута падаючого світла зростає.

  Повний текст PDF - 367.13 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"