Проведено дослідження впливу зсуву зони провідності та молярної частки алюмінію на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 - xAs з використанням повного квантового моделювання. Моделювання базується на самоузгодженому розв'язанні рівняння Пуассона та рівняння Шредінгера з відкритими граничними умовами в межах формалізму нерівноважної функції Гріна. Структура резонансного тунельного діода складається з вузької забороненої зони 2 нм, квантова яма GaAs затиснута між двома тонкими широкозонними бар'єрами з AlGaAs шириною 2 нм. Ці три шари затиснуто між двома нелегованими роздільними шарами з GaAs шириною 15 нм, які з'єднані з двома великими резервуарами контактів GaAs з високим вмістом легуючих домішок (10<^>18 см<^>-3).

  Повний текст PDF - 292.429 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"