Characterization of GaN Nanorods Fabricated Using Ni Nanomasking and Reactive Ion Etching: A Top-Down Approach

Kumar, А.; Latzel, М.; Tessarek, С.; Christiansen, S.; Singh, R.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Kumar А.
Characterization of GaN Nanorods Fabricated Using Ni Nanomasking and Reactive Ion Etching: A Top-Down Approach / А. Kumar, М. Latzel, С. Tessarek, S. Christiansen, R. Singh // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02001-1-02001-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_3

Повний текст PDF - 364.432 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Kumar А. Characterization of GaN Nanorods Fabricated Using Ni Nanomasking and Reactive Ion Etching: A Top-Down Approach / А. Kumar, М. Latzel, С. Tessarek, S. Christiansen, R. Singh // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02001-1-02001-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_3.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача