Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Krishnan N. H. Control of Switching Characteristics of Silicon-based Semiconductor Diode Using High Energy Linear Accelerator / N. H. Krishnan, V. K. Yadav, N. Anandarao, K. N. Jayaraman, S. Govindaraj, G. Sanjeev, K. C. Mittal // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02004-1-02004-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_6 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Krishnan N. H. Control of Switching Characteristics of Silicon-based Semiconductor Diode Using High Energy Linear Accelerator / N. H. Krishnan, V. K. Yadav, N. Anandarao, K. N. Jayaraman, S. Govindaraj, G. Sanjeev, K. C. Mittal // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02004-1-02004-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_6. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |