Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур

Михайловська, К. В.; Минько, В. І.; Індутний, І. З.; Шепелявий, П. Є.

Досліджено спектральні та поляризаційні характеристики фотолюмінесценції (ФЛ) поруватих світловипромінювальних nc-Si - SiO_x наноструктур, сформованих на c-Si пластинах з рельєфною поверхнею у вигляді дифракційних граток з формою профілю штрихів, близькою до трапеції та трикутника. Формування гратки на поверхні кремнієвої підкладки проводилося з використанням інтерференційної літографії на основі вакуумного халькогенідного фоторезисту та анізотропного рідинного травлення. Досліджені nc-Si - SiO_x структури було одержано шляхом термічного осадження під кутом монооксиду Si у вакуумі та наступного високотемпературного відпалу. Встановлено, що вихід ФЛ із структури nc-Si - SiO_x на рельєфній підкладці головним чином залежить від того, як це випромінювання поляризовано відносно напрямку штрихів гратки, і набагато менше залежить від напрямку поляризації збуджуючого світла. Виміряні спектри відбиття структури nc-Si - SiO_x на рельєфній підкладці підтвердили вплив гратки на вихід поляризованого випромінювання.


	Наукова періодика України		Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка