Розроблено математичну модель перемикання електричної поляризації сегнетоелектричного конденсатора, яка адекватно відображає процеси запису та зчитування в елементах FRAM-пам'яті і придатна для розробки автоматизованого проектування сегнетоелектричних накопичувальних елементів і пристроїв. Фізичні моделі перемикання електричної поляризації у сегнетоелектричному конденсаторі виявляються лише окремими випадками кристалізаційних за певних припущень щодо розмірності доменів, процесів їх зародження, розростання і перекриття. Проведено перенесення відомої геометрико-ймовірнісної моделі кристалізації розплаву на процеси переполяризації сегнетоелектриків. Для цієї кристалізаційної моделі розроблені два варіанти її практичної реалізації: для <$E chi>- і <$E beta>-процесів. Відповідно в математичній моделі можна виділити дві складові, назвавши їх <$E chi>- та <$E beta>-моделями перемикання поляризованості в сегнетоелектричному конденсаторі. Відмінність розробленої моделі від інших полягає в тому, що в кристалізаційній моделі вводиться початкове значення поляризованості та проводиться змішане (часове і просторове) нормування параметрів сегнетоелектричного матеріалу. Зокрема, введено поняття характеристичного часу, що є часом подвоєння радіусу зародків в полях з напруженостями значно більшими полів активації; характеристичного об'єму, який для <$E beta>-процесу дорівнює переполяризованому зародженням об'єму за характеристичний час, а для <$E beta>-процесу - початковому об'єму, поляризованому в напрямку поля до його прикладання та відносного поля активації зародження і розростання доменів. Узагальнені нормовані моделі зі змішаним нормуванням виявилися зручнішими для висування певних вимог до параметрів сегнетоелектричного матеріалу з метою отримання заданих характеристик сегнетоелектричних запам'ятовувальних елементів за швидкодії і інтенсивності струмів перемикання.

  Повний текст PDF - 468.148 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"